New
.
.
Aexit 50шт Общи Транзистори Предлагат 2N3906 40V 200mA TO-92 Пакет MOSFET Транзистори PNP Транзистор
BGN 20.72
Те също купуват с този продукт
Доставчик на : NTE Electronics Номер : NTE2946 Ro HS : Неизвестен HTS : 85412900951 COO : ECCN : EAR99 : 1 Режим на канала : Подобряване н
BGN 47.29
Мфр : НА Полупроводници.Серия : .Опаковка : Тубичка.Статус на детайли : вече не е Актуално.Тип на bobi fifi : N
BGN 531.88
NChannel 50 A (Tc) 47 W (Tc) Повърхностно монтиране на PGTO2523 Product Спецификация : Категория : Дискретни полупроводник
BGN 540.18
Спецификация на продукта : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, транзистори FETs, MOSFETs Single Mfr
BGN 540.26
Тип на канала : Nканал.Voltage Drainto Source : 200 V Drainsource On ResistanceMax : 690 mΩ.Qg Gate Charge : 8 n C.Rated Power Dissipation(P) : 63 W NChannel 200 V 6.6 A 690
BGN 45.14
Поддръжка на приложения : Не.Употреба : Осветление.Употреба : Бутон За Избор.Употреба : Компютър.Приложен
BGN 52.72
Mfr : Renesas Electronics America Inc.Серия : *.Опаковка : В Насипно Състояние.Статус на детайли : Активна.Спецификация :
BGN 58.32
Тип на канала : Двоен канал N & P Voltage Drainto Source : 30 / 30 V Drainsource On ResistanceMax : 0.05 / 0.07 Ω.Qg Gate Charge : 12.2 / 15.8 нк.Rated Power Di
BGN 458.81
Оригинален IRFP460, качеството е абсолютно найдоброто.Напрежение на балотажизточник (Vdss) : 500В.Непрекъснат
BGN 34.56
Лавинная здрава технология.Здрава технология на азотен затвора.Пониска входяща капацитет.Подобрена за
BGN 8.09
Тип на канала : Nканал.Voltage Drainto Source : 30 V Drainsource On ResistanceMax : 1 Ω.Qg Gate Charge : 1.3 нк.Rated Power Dissipation(P) : 330 m W.NChannel 30 V 1 Ohm 33
BGN 223.67
MiZOELEC 10шт IRF3205 IRF3205N IRF3205PBF Mosfet 55V 110A N-Channel TO-220 Мощност MOSFET Транзистор
Оригинален IRF3205, качеството е абсолютно найдоброто.Напрежение на балотажизточник (Vdss) : 55В.Постоянен ток
BGN 10.39
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C
BGN 3.92
NChannel 20 A (Tc) 50 W (Tc) Повърхностно монтиране TO252 AAProduct Спецификация : Категория : Дискретни полупроводникови
BGN 538.88
MOSFET Драйвер, 5шт 3.3/5V IRF520 Модули на Водача PWM MOSFET Изход Такса Управление на Изход В 0-24
Този драйвер използва оригиналната агресивна MOSтръба IRF520, може да продължи да PWM регулиране на изход.Той
BGN 61.68
Mfr : Taiwan Semiconductor Corporation.Опаковка : Tape & Reel (TR) Cut Лента (CT) DigiМакара.Статус на детайли : Активна.Тип на bobi fifi :
BGN 58.56
Нисък заряд на затвора : тип 147n C.Ниска капацитет обратна данни : вид 300p F.Бързото превключване...
BGN 8.76
NChannel 7.6 A (Ta), 58 A (Tc) 1.04 W (Ta), 62.5 W (Tc) Through Hole TO220 ABProduct Спецификация : Категория : Дискретни полупроводникови пр
BGN 533.86
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C
BGN 3.84
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C
BGN 60.80
Тип на канала : Nканал.Voltage Drainto Source : 20 V Drainsource On ResistanceMax : 36 mΩ.Qg Gate Charge : 15 нк.Rated Power Dissipation(P) : 0.5 W...
BGN 781.44
Мфр : НА Полупроводници.Серия : Power Trench.Опаковка : Tape & Reel (TR) Cut Лента (CT) DigiМакара.Статус на детайли : Акти
BGN 43.28
Mfr : Fairchild Semiconductor.Серия : УниФЕТ.Опаковка : Тубичка.Статус на детайли : вече не е Актуално.Тип на bobi fifi : NC
BGN 540.34
NChannel 75 A (Tc) 150 W (Tc) Through Hole TO2203 Product Спецификация : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, транзи
BGN 544.32
50А, 60В, rds(вкл.) = 0,022 Ω при vgs = 10 Век Нисък заряд на затвора ( типичен 31 нк).Ниска crss ( типичен 65 pf) и 100лихвенит
BGN 15.19